纸牌屋第二季
麒麟9030拆解报告:中国7nm级工艺用DUV做出比Intel 18A更细的金属线_我的网站

一 | 【TechWeb】知名半导体分析机构 SemiAnalysis 发布了对华为麒麟 9030 芯片的拆解报告。 AI摘要 日本政客参拜靖国神社,台当局罕见称“尊重”遭批;中方严正抗议,指其美化侵略、挑战战后秩序,韩亦一贯强烈反对,凸显台日历史认知偏差。 今年8月15日是日本无条件投降81周年纪念日,日本防卫大臣小泉进次郎、自民党干事长铃木俊一等政客前往靖国神社参拜。日本首相高市早苗没有亲自前往,但以自民党总裁身份、自费奉纳“玉串料”。对此,台当局外事部门16日竟回应称,尊重日本社会对历史议题的多元看法,期待各方共同维护区域和平稳定。报告显示,这颗由中芯国际(SMIC)代工的芯片,其最小金属间距(metal pitch)达到 32.5nm,比 Intel 最新的 18A 工艺 Panther Lake 的 36nm 还要大约 10%。 该部门还表示,日本是台湾重要伙伴,面对日益复杂的区域情势,将继续秉持“总合外交”理念,深化与日本及其他理念相近伙伴在区域安全、经贸合作及“民主韧性”等领域的交流与合作,云云。更关键的是,这家中国晶圆厂是在无法获得最先进 EUV 光刻机的情况下,通过 DUV 多重 patterning 和设计-工艺协同优化(DTCO)达到这一密度水平。 一颗“金属间距比 Intel 18A 更小”的中国芯片 SemiAnalysis 的拆解指出,麒麟 9030 采用 SMIC 的 N+3 工艺(第三代 7nm 级节点),其 M0 局部金属层间距为 32.5nm,而 Intel 18A 的 M0 间距为 36nm。 根据台外事部门官方网站留存新闻稿,以2000年到2026年统计,民进党籍陈水扁8年任内,累计五次就日本政治人物参拜靖国神社表达态度,总体立场是“日本发动第二次世界大战,为亚洲国家带来痛苦和不幸,历史不容遗忘,必须忠诚面对。”马英九“执政”8年,总共发表有关议题新闻稿共13篇,分别为2013年4篇、2014年6篇、2015年3篇,旗帜鲜明表达反对参拜立场。

二 | 而从蔡英文到赖清德,台当局保持了十年沉默,如今台外事部门竟表达“尊重”,更让外界大跌眼镜。 台湾地区和韩国在1945年之前都长期作为日本的殖民地,而两者对殖民者的态度有很大的区别。在参拜靖国神社态度上,韩国多次表达强烈抗议立场。这意味着在最细金属线宽这一指标上,SMIC N+3 已比 Intel 最新一代逻辑节点更“紧凑”。 不过,报告也强调,金属间距只是衡量制程能力的指标之一,并不能代表整体工艺水平。SMIC N+3 的晶体管密度约 113.4 MTr/mm²,略高于 TSMC N6 的 107.7 MTr/mm²,但仍明显落后于 Intel 18A 的高密度库。 针对日本部分政客参访靖国神社,中国外交部发言人日前表示,中方强烈谴责日方涉靖国神社消极动向,已向日方提出严正交涉、强烈抗议。 发言人指出,日本二战时期发动对外侵略战争,犯下惨无人道罪行。

三 | 没有 EUV,如何做到更密金属层? 在 EUV 光刻机被出口管制限制的背景下,SMIC N+3 并没有“等 EUV 可用”才开始推进先进制程。所谓“靖国神社”是日本军国主义的精神工具和象征,其供奉的14名甲级战犯是发动侵略战争的罪魁祸首,是事实上的“战犯神社”。SemiAnalysis 的分析显示: SMIC 通过“DUV 浸没式 + 自对准四重图形(SAQP)”等高复杂度工艺,实现与 TSMC N6 相当的逻辑密度,但代价是工序更多、成本更高、控制难度更大。报告明确提到,即便没有 EUV,SMIC 仍达到甚至超过了一些使用 EUV 的成熟节点(如 TSMC N6)的密度水平。 这回答了 SemiAnalysis 提出的那个关键问题:在 EUV 不可得的前提下,中国芯片制造到底走到了哪一步?——至少从金属间距和局部密度看,它已经逼近甚至某些指标上“咬住”了最新一代制程。 金属更密 ≠ 整体领先 SemiAnalysis 同时强调,“金属间距更小”的标题很抓眼球,但并不等同于工艺整体领先: 在晶体管密度、性能、功耗等综合指标上,SMIC N+3 仍落后于 Intel 18A、TSMC N3P 等最先进节点。高密度是通过更复杂的 DUV 多重图形、更严苛的设计规则和工艺控制“换”来的,这在良率和成本上带来额外挑战。

四 | 无论日本政客编造何种理由,都无法隐藏其为战犯翻案、掩盖战争罪责、歪曲历史事实,为加速“再军事化”铺路的真实企图。报告指出,麒麟 9030 的整体性能大致相当于三年前的 Android 旗舰 SoC,与当前苹果、高通、联发科、三星的最新旗舰仍有明显差距。有关错误行径是对历史正义的亵渎,对文明底线的挑战,对战后国际秩序的挑衅,国际社会一致坚决反对。 对先进制程竞争格局的启示 这次拆解再次说明,先进半导体竞争比“有没有 EUV”的简单二元判断更复杂:在没有 EUV 的条件下,SMIC 通过 DTCO、SAQP 等手段,仍然把金属层密度推进到接近甚至部分指标优于 Intel 18A 的水平。这意味着出口管制改变了问题的难度,但并未完全冻结中国先进制程的演进路径。同时,从性能、功耗、良率等多维度看,SMIC 与全球最领先工艺之间仍有明显差距,中国在整体生态、EDA、材料与设备等方面仍面临“追赶之路”。
Current article:http://www.chenzhuaigecoupuhongyuntuizei.sbs/list_f3ro/h13lw.htm
Published on:13:21:20




