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一 | 据知情人士透露,本月早些时候,就在SpaceX宣布完成对Cursor公司600亿美元收购的当天,埃隆·马斯克召开了一次全体员工视频会议,与这家软件开发公司的员工进行了交流。据五位了解此次会议的人士透露,马斯克向与会者表示,SpaceX的人工智能部门已经落后于竞争对手,而他不习惯遭遇失败。与特斯拉或SpaceX在各自行业中占据主导地位不同,SpaceXAI旗下的Grok并非市场领导者,亟需追赶。 8 月 25 日消息,科技媒体 Tom's Hardware 昨日(8 月 24 日)发布博文,报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅(SiC)晶体管,采用标准离子注入工艺制造,可在 600℃(873 K)下工作。援引博文介绍,该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”(ion implantation)工艺打造,相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。

二 | 研究团队选择“结型场效应晶体管”(JFET)结构,并将栅极置于沟道下方,形成底栅(bottom-gate)布局。(新浪财经)原文链接。离子注入过程中,部分掺杂原子会沿晶体通道深入目标区域之外,形成“沟道效应”尾部。

三 | 传统顶栅结构难以补偿这一影响,导致设计阈值电压与实测值相差超过 2 V。底栅结构可捕获偏离预定深度的掺杂原子,让该偏差在 400℃ 下缩小至 0.1 V 以内。该科研团队为了减少高温漏电,团队还加入“双阱”(double-well)隔离结构。

四 | 该结构通过 pn 结隔离单个器件,避免依赖下方半绝缘碳化硅衬底。

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Published on:13:40:14
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